У них нет даташита потому, что это не конкретный квантрон, а некий полуфабрикат, который они под заказчика видоизменяют. На самом деле можно взять любой пустой (без стержня) квантрон и вставить в него эрбиевый стержень, они у этого производителя тоже есть. Посмотрите еще на диодные Er:YLF, они эффективнее YAG.
В таком контексте не очень понятно, что означает мощность. Средняя? Пиковая в импульсе? Средняя за импульс? Давайте лучше энергией импульса (в Дж) оперировать, так понятнее.
Управлять от МК - раз плюнуть. Схема зависит от того, накачка будет лазерным диодом или лампой. Если лазерным диодом, то в драйвер накачки заводится управляющий сигнал от МК (ТТЛ-уровень), многие драйверы так могут "из коробки", ну и при разработке своей схемы драйвера это не проблема. Тогда МК непосредственно формирует импульсы, включая и выключая драйвер накачки.
Если накачка ламповая, тогда сложнее. Схема тогда в принципе повторяет схему студийной фотовспышки. Главный конденсатор берется с большим запасом, а лампа к нему подключается через IGBT-транзистор. Трансформатор поджига через конденсатор ставится после этого транзистора. IGBT должен выдерживать кратковременно ток от 100 А и более и полное напряжение лампы, которое в такой схеме не превышает обычно 1 кВ. Управление IGBT делается от стандартнонго драйвера IGBT/MOSFET, а у него уже логический вход. Который можно подключить к МК как напрямую, так и через опторон для безопасности, все-таки киловольты. Суть здесь в том, чтобы не разряжать конденсатор до конца, как в простых схемах, а прерывать разряд, закрывая IGBT. МК тогда тоже формирует импульсы непосредственно, но с поправкой на время зажигания лампы (дополнительно несколько микросекунд). Диодная накачка проще, но требует особых диодов.
